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ZXMN3A04K
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Drain-source voltage
Gate-source voltage
SYMBOL
V DSS
V GS
LIMIT
30
±20
UNIT
V
V
Continuous drain current @ V GS =10V; T A =25°C
(b)
I D
18.4
A
@ V GS =10V; T A =70°C (b)
@ V GS =10V; T A =25°C (a)
14.7
12.0
A
A
Pulsed drain current
(c)
I DM
66
A
Continuous source current (body diode)
Pulsed source current (body diode) (c)
Power dissipation at T A =25°C (a)
Linear derating factor
Power dissipation at T A =25°C (b)
Linear derating factor
Power dissipation at T A =25°C (d)
Linear derating factor
(b)
I S
I SM
P D
P D
P D
11.5
66
4.3
34.4
10.1
80.8
2.15
17.2
A
A
W
mW/°C
W
mW/°C
W
mW/°C
Operating and storage temperature range
T j , T stg
-55 to +150
°C
THERMAL RESISTANCE
PARAMETER
Junction to ambient (a)
SYMBOL
R JA
VALUE
29
UNIT
°C/W
Junction to ambient
Junction to ambient
(b)
(d)
R JA
R JA
12.3
58
°C/W
°C/W
NOTES
(a) For a device surface mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 2oz copper, in still air conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at
10 sec.
(c) Repetitive rating 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB, D=0.02 pulse width=300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
(d) For a device surface mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.
ISSUE 1 - FEBRUARY 2004
SEMICONDUCTORS
2
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